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在現代集成電路制造中，離子植入是一項非常重要的技術，其基本原理是：用能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，離子束與材料中的原子或分子將發生一系列物理的和化學的相互作用，入射離子逐漸損失能量，停留在材料中，并引起材料表面成分、結構和性能發生變化，從而優化材料表面性能，或獲得某些新的優異性能。

由于在離子源轉換為電漿離子時，會產生2000℃以上的工作溫度，離子束噴發時，也會產生很大的離子動能，一般金屬會很快燒熔，因此需要質量密度較大的惰性金屬，以維持離子束噴發方向，并增加組件耐用度，鎢鉬是必選材料。由于鎢鉬材料高溫化學性質穩定、熱變形小和使用壽命長等優點，因此半導體行業離子注入機離子源件及耗件多采用鎢、鉬材料制造，這些器件包括發射電子陰極的屏蔽筒、弧光室，燈絲夾等。

與傳統鎢鉬材料相比，離子植入用鎢鉬材料密度更高，晶粒更細，耐高溫及抗蠕變性能更強。